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BAS20中文资料

BAS20图片

BAS20外观图

  • 大小:223.39KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:Case: SOT-23 SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE BAS19 - BAS21 Silicon planar epitaxial high speed diode For switching and general purpose applications Parameter Test Conditions Type Symbol Value Unit Working peak reverse voltage BAS19 V RWM 100 V gg =DC Blocking voltage BAS20 RWM =V R 150 V BAS21 200 V Repetitive peak reverse voltage BAS19 V RRM 120 V g BAS20 V RRM 200 V BAS21 V RRM 250 V Peak forward surge current t=1 s I FSM 2.5 A g t=1s I FSM 0.5 A Repetitive peak forward current I FRM 625 mA Average forward current t p <0.3ms I FAV 200 mA Forward current T Case =T L (8mm from Case) =T amb I F 400 mA Power dissipation T Case =T L (8mm from Case) =T amb P tot 250 mW Junction and storage temperature range T j =T stg –55...+150 C Features A E J L TOP VIEW M B C H G D K SOT-23 Dim Min Max A 0.37 0.51 B 1.20 1.40 C 2.30 2.50 D 0.89 1.03 E 0.45 0.60 G 1.78 2.05 H 2.80 3.00 J 0.013 0.10 K 0.903 1.10 L 0.45 0.61 M 0.085 0.180  0 8 All Dimensions in mm Mechanical Data Weight: 0.008 grams
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):200V
  • 电流 - 平均整流 (Io):200mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 200mA
  • 速度:小信号 =
  • 反向恢复时间(trr):50ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 50V
  • 电容@ Vr, F:5pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)

BAS20供应商

更新时间:2022-12-31 17:36:43
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